IT之家 7 月 30 日消息，KIOXIA（铠侠）当地时间今日宣布，其开始出货采用其第九代 BiCS FLASH 3D 闪存技术的 1Tb 三层单元（TLC）存储器件的样品。

与此前出样的 BiCS9 512Gb TLC 不同，此次样品采用了 230 层存储阵列，这意味着其在 NAND 堆栈上与 BiCS8 相近。同时，BiCS9 1Tb TLC 还采用了和 BiCS10 相同的 CMOS 技术，NAND 接口速率达到 4.8 Gb/s。

铠侠表示，第九代 BiCS FLASH 旨在支持对中低容量存储有高性能和卓越能效要求的应用；而提升至 332 层的第十代 BiCS FLASH 产品则可满足未来对大容量、高性能解决方案的需求。